IGBT

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Mensagempor rcakto » 09 Dez 2011 23:52

Alguem tem algum site ou livro que ensine a usar IGBT?? nunca trabalhei com isso...
(parado por culpa da faculdade...)Osciloscopio opensource... entre e participe:
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Mensagempor rcakto » 10 Dez 2011 20:47

vlw marcelo, baixei e ja vou ler
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Mensagempor Djalma Toledo Rodrigues » 11 Dez 2011 09:39

'Do casamento do Bipolar com o Mosfet (agora pode) nasceu o IGTB

Robusto e forte. Só não é muito ligeiro.

Como é lindo o Amor!"

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Datasheet meu caro

Datasheet...

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Mensagempor brasilma » 12 Dez 2011 07:39

Unem a baixa corrente de excitação dos transistores FETs com a capacidade de corrente dos bipolares.

Queimei muitos em uma ocasião em que desenvolvi um inversorzinho, a tensão de acionamento não pode passar de um determinado limite (no meus era 20V), isto acaba danificando o componente da mesma forma que um excesso de corrente entre os terminais de operação.

Há drives específicos para executar esta função de acionamento, que protegem os IGBTs.
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Mensagempor Alexandro » 12 Dez 2011 08:03

Ja trabalhei muitos anos com IGBT, e o que posso dizer que só é recomendado usa-los para alta potencia, fora isso usem outros tipos de chaveamento, pois alem de ser caros precisam de um bom driver que implica em custos altos. Um problema muito comum é quando não se calcula corretamente os uCoulombs entre driver e IGBT.
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Mensagempor andre_luis » 21 Dez 2011 09:52

Cada caso é um caso : De uma maneira geral, MOSFET são designados para uso em baixa tensão e baixo custo, pois o processo de fabricação exige pouco mais da metade dos processos de deposição/metalização necessários para fabricar um BJT/IGBT. Por causa disso, a barreira de tensão acaba sendo menor, o que os tornam menos robustos contra sobretensão.

Para se determinar o ponto onde é mais vantajoso usar o MOSFET ou IGBT/BJT como elemento de chaveamento do ponto de vista da dissipação, precisa calcular a potencia média consumida por cada um e decidir por qual optar :

( MOSFET ) : P = Rds . ( I )^2
( IGBT/BJT ) : P = Vce . I

I > ( Vce / Rds )

Uma integralzinha básica pode ser necessária paraestimar mais precisamente.
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Mensagempor Djalma Toledo Rodrigues » 21 Dez 2011 10:59

andre_teprom escreveu:Cada caso é um caso : De uma maneira geral, MOSFET são designados para uso em baixa tensão

O já antigo IRF640 ==> 250 V

Depois a Siemens levou os Mosfet a 600 V

A IR tem diversos de 600 V


A propósito aqui pode selecionar o IGTB mais adequado :

http://mypower.ifr.com/IGTB

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Mensagempor edison » 22 Dez 2011 01:19

Djalma Toledo Rodrigues escreveu:
andre_teprom escreveu:Cada caso é um caso : De uma maneira geral, MOSFET são designados para uso em baixa tensão

O já antigo IRF640 ==> 250 V

Depois a Siemens levou os Mosfet a 600 V

A IR tem diversos de 600 V


A propósito aqui pode selecionar o IGTB mais adequado :

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Mensagempor andre_luis » 22 Dez 2011 07:58

Djalma Toledo Rodrigues escreveu:...Depois a Siemens levou os Mosfet a 600 V...


Pode notar que os MOSFETs não costumam ultrapassar esse limiar, independente da potencia para a qual foi designado.

+++
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