Chaveamento com MOFET tipo P

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Chaveamento com MOFET tipo P

Mensagempor alessandro » 14 Mar 2011 10:09

Preciso fazer um chaveamento de uma carga 5V/280mA. A princípio escolhi o Mosfet IRF5803. Fiz as ligações com 5V no Dreno, no GATE coloquei um resistor de 10K e no SOURCE coloquei no (+) da carga, sendo que o (-) da carga ficou diretamente ligado no GND.

Fiz uma simulação no PSPICE com o modelo adquirido no site da IR e notei que, com 0V o MOSFET conduziria e a medida que a tensão no GATE fosse aumentando a tensão na carga ia diminuindo.

Montei o circuito, mas com o resistor de 10K do GATE para GND nada aconteceu, com o resistor do GATE para 5V, também nada aconteceu. Agora se o resistor é desconectado do circuito e você encosta nele o circuito chavea.

Alguém poderia me dar uma ajuda para entender o que esta acontecendo?


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Mensagempor MOR_AL » 14 Mar 2011 19:21

Se a sua fonte é 0V (terra) e +5V, então:
Source ao +5V
Dreno à carga. O outro lado da carga vai ao terra.
Gate com o resistor ao Source.
Sem conduzir, a tensão source-gate deve ser zero. Como o source está com +5V, então o gate também deve estar.
Para conduzir o gate deve ser levado à terra (Vgs = -5V).
Só tome cuidado que ao ligar o circuito, a tensão de gate tem que ir logo para o +5V. Isso garante que o mosfet não vai começar já conduzindo. É a tal da lógica negativa.
Faça a alteração e coloque os resultados para que possamos saber... e leia o manual. Na "Fig 10a. Switching Time Test Circuit" mostra como fazer. Só que eles colocaram o +Vdd ao terra. Apenas alteraram a referência de tensão mas dá no mesmo.
Bons projetos.
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Mensagempor alessandro » 17 Mar 2011 15:50

Moral, fiz a alteração, mas curiosamente a carga inicia-se energizada, as tensões são:

G = 5V
S = 5V
D = 4.5V

Ao colocar GND no Gate, nada acontece, continua com a carga energizada.

Coloquei um reistor de 10K do Gate para o Source.

Grato pela ajuda.


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Mensagempor MOR_AL » 18 Mar 2011 06:41

alessandro escreveu:Moral, fiz a alteração, mas curiosamente a carga inicia-se energizada, as tensões são:

G = 5V
S = 5V
D = 4.5V

Ao colocar GND no Gate, nada acontece, continua com a carga energizada.

Coloquei um reistor de 10K do Gate para o Source.

Grato pela ajuda.


Alessandro


Deveria iniciar cortado!!!
Acompanhe com o manual... http://www.datasheetcatalog.org/datashe ... rf5803.pdf ... e tente:

1 - Confirmar as pinagens do mosfet com o manual... As vezes o óbvio nos engana. O source pode estar trocado com o dreno e o diodo reverso pode estar conduzindo.
2 - Trocar o mosfet. Talvez ele esteja queimado...
3 - Apesar de ser elementar também mas confira o circuito. Deixe apenas a fonte, o resistor, o mosfet e a carga no circuito. Qual é o valor da carga? Observe que, pela figura 11, existe um limite de largura de pulso sem que o mosfet queime. Claro que você deve estar usando ele como chave, não é? Dependendo do caso, você deve considerar que a resistência térmica seja de 62,5 ºC/W. Ou soldá-lo em um quadrado de cobre (da placa de CI) com 2,54 cm x 2,54cm. Nessa condição o mosfet pode dissipar até 1,3W com uma temperatura ambiente (dentro da caixa do circuito) de até 70ºC.
4 - Da figura 1 do manual, tem-se que: Para uma tensão Vgs de -2,7V só tem uma corrente de 20mA (VDS = -5V). Se Vgs for para 0V deveria cortar.
5 - Da figura 15 (Typical Threshold Voltage). Para uma tensão Vgs de -2,4V (a 25ºC), a corrente deveria ser de apenas 250uA. Para uma tensão Vgs menor, o corte seria maior.

Boa sorte!
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Mensagempor alessandro » 30 Mar 2011 10:06

MOR_AL, para minha supresa o componente estava ruim. Consegui comprar outro e ele funcionou corretamente.

Grato pelas sugestões.


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Mensagempor MOR_AL » 30 Mar 2011 13:27

alessandro escreveu:MOR_AL, para minha supresa o componente estava ruim. Consegui comprar outro e ele funcionou corretamente.

Grato pelas sugestões.


Alessandro

Ok!
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