IGBT

[rcakto]

Alguem tem algum site ou livro que ensine a usar IGBT?? nunca trabalhei com isso...

[marcelo_asm]

http://www.amazon.com/Power-Electronics ... 246&sr=8-3

http://www.amazon.com/POWER-ELECTRONICS ... 306&sr=1-1

[rcakto]

vlw marcelo, baixei e ja vou ler

[Djalma Toledo Rodrigues]

'Do casamento do Bipolar com o Mosfet (agora pode) nasceu o IGTB

Robusto e forte. Só não é muito ligeiro.

Como é lindo o Amor!"

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Datasheet meu caro

Datasheet...

DJ

[brasilma]

Unem a baixa corrente de excitação dos transistores FETs com a capacidade de corrente dos bipolares.

Queimei muitos em uma ocasião em que desenvolvi um inversorzinho, a tensão de acionamento não pode passar de um determinado limite (no meus era 20V), isto acaba danificando o componente da mesma forma que um excesso de corrente entre os terminais de operação.

Há drives específicos para executar esta função de acionamento, que protegem os IGBTs.

[Alexandro]

Ja trabalhei muitos anos com IGBT, e o que posso dizer que só é recomendado usa-los para alta potencia, fora isso usem outros tipos de chaveamento, pois alem de ser caros precisam de um bom driver que implica em custos altos. Um problema muito comum é quando não se calcula corretamente os uCoulombs entre driver e IGBT.

[andre_luis]

Cada caso é um caso : De uma maneira geral, MOSFET são designados para uso em baixa tensão e baixo custo, pois o processo de fabricação exige pouco mais da metade dos processos de deposição/metalização necessários para fabricar um BJT/IGBT. Por causa disso, a barreira de tensão acaba sendo menor, o que os tornam menos robustos contra sobretensão.

Para se determinar o ponto onde é mais vantajoso usar o MOSFET ou IGBT/BJT como elemento de chaveamento do ponto de vista da dissipação, precisa calcular a potencia média consumida por cada um e decidir por qual optar :

( MOSFET ) : P = Rds . ( I )^2
( IGBT/BJT ) : P = Vce . I

I > ( Vce / Rds )

Uma integralzinha básica pode ser necessária paraestimar mais precisamente.

[Djalma Toledo Rodrigues]

Cada caso é um caso : De uma maneira geral, MOSFET são designados para uso em baixa tensão

O já antigo IRF640 ==> 250 V

Depois a Siemens levou os Mosfet a 600 V

A IR tem diversos de 600 V


A propósito aqui pode selecionar o IGTB mais adequado :

http://mypower.ifr.com/IGTB

DJ

[edison]

Cada caso é um caso : De uma maneira geral, MOSFET são designados para uso em baixa tensão

O já antigo IRF640 ==> 250 V

Depois a Siemens levou os Mosfet a 600 V

A IR tem diversos de 600 V


A propósito aqui pode selecionar o IGTB mais adequado :

http://mypower.ifr.com/IGTB

DJ

DJ teu link tá quebrado!

[andre_luis]

...Depois a Siemens levou os Mosfet a 600 V...

Pode notar que os MOSFETs não costumam ultrapassar esse limiar, independente da potencia para a qual foi designado.

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