ASM51

Olá pessoal.
Estou tendo problemas de aquecimento nos mosftes de um circuito push pull.
pelo que eu verifiquei com o osciloscopio, é a tensão reversa gerada pelo indutor que esta quecendo o mosfet..
alguem já teve este tipo de problema tmb, sabe uma forma simples de solucionar ??

Valeu

Esse Mosfet nao tem internamente aquele diodo entre Dreno e Source?

Se nao tiver, vc precisa colocar um diodo em cada transistor.

Seu estagio Push Pull fuciona chaveado ou na regiao linear?
A bobina de carga é um motor?

Dependendo da configuraçao, outras coisas podem estar influenciando esse aquecimento.

2 atitudes saudáveis quando se trabalha com push-pull :
- colocar snubbers R-C-D em CADA mosfet.
- utilizar bias de gate negativo

Convém também voce confirmar :
- se o drive para esses mosfets tem alta capacidade de corrente de pico ( Ipk, no datasheet ), tipo uns 2A ou mais.
- Se a tensao maxima nominal do mosfet está acima se 2,5x a tensao da fonte/bateria.

Proex,

Aqui vai uma pergunta. Eu nunca entendi a razao para os diodos reversos em paralelo com esses componentes. Me parece uma protecao contra tensao reversa. No caso dos push-pull, creio que esses diodos talvez nao tivessem efeito, pois os Spikes sao em polarizacao direta. Então, seriam esses diodos resultado do aspecto construtivo dosses componentes, ou realmente foram propositalmente implementados ?

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O ideal seria saber que tipo de Push Pull é esse ai, se analógico ou digital, se esses Fets estao ligados em tensao poisitiva e negativa, e se a carga esta conectada ou nao ao terra do circuito. Como vc vê sao muitas as variaveis.

No meio disso tudo, dependendo da configuraçao, tem que levar em conta o Dead Time do Fets. (O tempo que o Fet leva pra atingir o corte depois que o mesmo recebeu o comando pelo Gate.)

Se isso nao for bem calculado, corre o risco de ligar o segundo Fet antes do primeiro estar completamente desligado.

ola a todos,,
os fets IRF540N ja possuem um diodo interno, o acionamento do gate [e feito por um driver IR2011S, e o chaveamento do circuito push pull [e feito para o gnd..
como fasso para calcular o circuito snuber neste caso? estou tendo um pico de 150V. e os mosfets estao aquecendo muinto...

Ha o circuito para gerar o PWM [e o CI SG3525, em 18Khz +-..

Valeu

18Khz nao é uma frequencia qualquer...

Voce conferiu na figura de mérito, "SAFE OPERATING AREA", se o dispositivo está operando nessa regiao ?

O cálculo dos snubbers é simples. Eu me baseei em um livro, mas isso deve ser facilmente encontrado na WEB.

Esse 3525 não possui muita capacidade de corrente de pico ( 500mA ). Quantos mosfets estao pendurados no banco ?

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Bom, sem olhar o teu diagrama, eu acredito que você estyá fazendo a coisa certa, apesar que como voc está usando o IR2011 poderia usar mesmo um 3524 para gerar o PWM, mas não vejo maiores problemas aí não.
Eu fico me perguntando se eventualmente usar um varistor não resolveria, talvez seja uma solução meio suicida colocá-los para levar porrada direto, mas se a potência do pico for pequena ele mata no peito e não chia, e com certeza teus FETs vão agradecer. Sei lá, é uma tentativa...

Só mais uma dúvida me ocorreu, você já olhou com bastante cuidado que tipo está a rampa de descida e subida nos FETs?
Eu fiz uma vez uma tentativa de fonte chaveada com um 3524 tocando direto um MOSFET, e devido à capacitância do gate mais o resistor de pull up, ele gerava uma rampa de descida inclinada. Quando eu colocava uma carga na fonte, o MOSFET chegou a derreter a solda da placa (mas não queimou, acho que era até o mesmo modelo que você está usando). Daí troquei para 3525 e a saída ficou quadradinha e o MOSFET ficou gelado.
Ou seja, o segredo num circuito chaveado pro FET não esquentar, é ter uma saída quadradinha, quanto mais, melhor. Se tua rampa de saída estiver inclinada, pode ser que o MOSFET não tá dando conta de tocar tua carga. Numa dessas um IGBT seja mais indicado.
Infelizmente, eletrônica de potência nunca foi meu forte, aliás, nem sei se tenho algum forte em eletrônica mesmo...

Vou verificar o que o Andre postou...
Xultz.. A rampa no gate do mosfte é quadrada melhor impossivel ( o RI2011S é alimentado com o sinal do SG3525 e gera uma saida quadrada perfeita e com corrente suficiente para alimentar o mosfet ), ja o sinal no " coletor " do mosfet é uma meia senoide positiva e quando chega proximo a gero é descarregado pelo indupor a tensão reversa +- 150V o circuito snubber que eu fix para testar consiste em um resistor de 56R/2W em serie com um capacitor de 100nF, mas não vi muita diferença..por isso perguntei sobre o calculo correto do circuito snubber.
Há são dois mosfet no circuito, ( não ha banco de mosfets, mosfet em paralelo ).
só uma pergunta se eu usar um IGBT eu vou ter a tensão reversa da mesma forma, teoricamente ele vai aquescer certo?!

Vou pesquisar ne net alguma coisa e caso eu tenha sucesso vou postar para compartilhar as informações...

Valeu

Você quer dizer que no gate você tem um sinal quadradinho e no dreno uma meia senóide???????

É isso ai Andre..
o sinal que eu tenho no gate é quadrado, mas o sinal que eu tenho no dreno é uma meia senoide, e um pouco antes dessa meia senoide chegar a zero, vem a tensão reversa do indutor ( transormador ) de uns 150 V +-..

Valeu

Você não está com problema de fonte?

Posta o circuito pra gente poder analisar. Sem ele fica meio complicado.

Abraço.

Jean.