Olá Edison. Tudo bem?
Acho que para a potência que você está querendo, a opção mais apropriada é um conversor DC-DC do tipo Push-Pull.
Como toda fonte chaveada, há o problema de ter que se montar o elemento magnético.
Possuo a cópia Xerox de um artigo (em inglês) que explica (e ensina) a maior parte do projeto. Como é de 1972, a cópia já está um pouco difícil de ler e escanear.
Se você tiver acesso aos periódicos de eletrônica em alguma biblioteca, o artigo é:
"
Eliminate spikes in dc-to-dc converter by adding a second transformer. There is no sacrifice in either efficiency or high-speed performance."
Electronic Design 22, October 26. 1972
Possuo diversos artigos, porém este eu considero o mais esclarecedor e inclui um exemplo de aplicação.
Escaneei. O link é:
http://rapidshare.com/files/176188491/DC_to_DC.rar.html
Talvez ajude.
Em Tempo: Dei uma olhada no link indicado anteriormente pelo Rota. Parece ser um bom projeto.
Apenas tem que se tomar as seguintes precauções:
1 - Estude antes o datasheet do CI para entender o que está acontecendo. Inclusive pode haver CIs semelhantes, facilitando a aquisição.
2 - O transformador, tanto para 60 c/s como para 50 kc/s, possui alguns detalhes construtivos.
a) Existe a grande possibilidade do ponto de operação do transformador migrar e levá-lo à saturação. Com transistores como chave, o problema é maior que com MOSFETs, porém ainda pode saturar.
a.1) Os enrolamentos simétricos deverão ser enrolados ao mesmo tempo. Com isso a probabilidade de haver uma espira a mais ou "abraçar" linhas de campo direrentes diminui. Contudo observe que as conexões de um dos enrolamentos são opostas às do outro. Observe também a ddp que pode haver entre os dois enrolamentos. Nos piores casos o verniz do fio deve isolar o dobro da tensão. No caso de Vcc = 12V, não há problema, mas no caso do secundário, pode ir a 200V (para V0 = 100V).
a.2) É costume colocar um gap mínimo. Algo em torno de 25 micro metro, ou 1/4 da espessura de uma folha de papel normal A4. Isso faz com que a curva BxH estique um pouco no eixo H, dificultando a saturação do trafo. Observe também que não é bom aumentar a espessura deste gap, porque aparece um indutor em série com o trafo. Isso produz picos de sobretensão no instante da abertura das chaves. Aliás, nota-se nas formas de onda do trafo do link do Rota, que o trafo não está introduzindo quase nenhum pico de sobretensão.
b) É também costume incluir um circuito snubber entre os coletores ou drenos das chaves comutadoras. Justamente para retirar o excesso do pico de sobretensão produzido.
Em resumo:
Para evitar-se que o trafo sature, dá-se preferência à chaves a MOSFET, enrolam-se os enrolamentos simétricos juntos e acrescenta-se um gap mínimo. Este último gera sobretensões (spikes), que são reduzidas com a inclusão do snubber.
Finalmente. Chaves a transistores possuem tempos de comutação mais lentos que as chaves a MOSFET, porém durante as conduções, o MOSFET possui normalmente maior tensão de condução que os transistores. Em frequências de chaveamento baixas, o transistor dissipa menos que o MOSFET. Em frequências de chaveamento altas, ocorre o contrário.
[]'s
MOR_AL
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