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IGBT

Enviado:
09 Dez 2011 23:52
por rcakto
Alguem tem algum site ou livro que ensine a usar IGBT?? nunca trabalhei com isso...

Enviado:
10 Dez 2011 06:11
por marcelo_asm

Enviado:
10 Dez 2011 20:47
por rcakto
vlw marcelo, baixei e ja vou ler

Enviado:
11 Dez 2011 09:39
por Djalma Toledo Rodrigues
'Do casamento do Bipolar com o Mosfet (agora pode) nasceu o IGTB
Robusto e forte. Só não é muito ligeiro.
Como é lindo o Amor!"
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Datasheet meu caro
Datasheet...
DJ

Enviado:
12 Dez 2011 07:39
por brasilma
Unem a baixa corrente de excitação dos transistores FETs com a capacidade de corrente dos bipolares.
Queimei muitos em uma ocasião em que desenvolvi um inversorzinho, a tensão de acionamento não pode passar de um determinado limite (no meus era 20V), isto acaba danificando o componente da mesma forma que um excesso de corrente entre os terminais de operação.
Há drives específicos para executar esta função de acionamento, que protegem os IGBTs.

Enviado:
12 Dez 2011 08:03
por Alexandro
Ja trabalhei muitos anos com IGBT, e o que posso dizer que só é recomendado usa-los para alta potencia, fora isso usem outros tipos de chaveamento, pois alem de ser caros precisam de um bom driver que implica em custos altos. Um problema muito comum é quando não se calcula corretamente os uCoulombs entre driver e IGBT.

Enviado:
21 Dez 2011 09:52
por andre_luis
Cada caso é um caso : De uma maneira geral, MOSFET são designados para uso em baixa tensão e baixo custo, pois o processo de fabricação exige pouco mais da metade dos processos de deposição/metalização necessários para fabricar um BJT/IGBT. Por causa disso, a barreira de tensão acaba sendo menor, o que os tornam menos robustos contra sobretensão.
Para se determinar o ponto onde é mais vantajoso usar o MOSFET ou IGBT/BJT como elemento de chaveamento do ponto de vista da dissipação, precisa calcular a potencia média consumida por cada um e decidir por qual optar :
( MOSFET ) : P = Rds . ( I )^2
( IGBT/BJT ) : P = Vce . I
I > ( Vce / Rds )
Uma integralzinha básica pode ser necessária paraestimar mais precisamente.

Enviado:
21 Dez 2011 10:59
por Djalma Toledo Rodrigues
andre_teprom escreveu:Cada caso é um caso : De uma maneira geral, MOSFET são designados para uso em baixa tensão
O já antigo IRF640 ==> 250 V
Depois a Siemens levou os Mosfet a 600 V
A IR tem diversos de 600 V
A propósito aqui pode selecionar o IGTB mais adequado :
http://mypower.ifr.com/IGTB
DJ

Enviado:
22 Dez 2011 01:19
por edison
Djalma Toledo Rodrigues escreveu:andre_teprom escreveu:Cada caso é um caso : De uma maneira geral, MOSFET são designados para uso em baixa tensão
O já antigo IRF640 ==> 250 V
Depois a Siemens levou os Mosfet a 600 V
A IR tem diversos de 600 V
A propósito aqui pode selecionar o IGTB mais adequado :
http://mypower.ifr.com/IGTBDJ
DJ teu link tá quebrado!

Enviado:
22 Dez 2011 07:58
por andre_luis
Djalma Toledo Rodrigues escreveu:...Depois a Siemens levou os Mosfet a 600 V...
Pode notar que os MOSFETs não costumam ultrapassar esse limiar, independente da potencia para a qual foi designado.
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